努力于亚太地域市场的国际当先半导体元器件分销商---年夜联年夜控股克日发布，其旗下诠鼎推出基于英诺赛科（Innoscience）InnoGaN INN650TA030C、INN650TA050C、INN100EQ016A以及INS1001DE芯片的2KW 48V双向AC/DC储能电源计划。本文援用地点：图示1-年夜联年夜诠鼎基于英诺赛科产物的2KW 48V双向AC/DC储能电源计划的展现板图在实现“双碳”目的的年夜配景下，风能、光伏等绿色动力情势正逐渐成为推进可连续开展的中心能源。但是，天然界的动力供应存在固有的不稳固性，这请求新动力体系在存储与应用进程中必需依附高效的储能处理计划，以无效均衡供需稳定，下降不断定性影响。氮化镓作为半导体范畴的明星资料，凭仗其超高频、超低消耗的出色机能，明显晋升了动力转换效力与应用程度，在储能技巧范畴展示出主要代价。针对这一趋向，年夜联年夜诠鼎基于英诺赛科InnoGaN INN650TA030C、INN650TA050C、INN100EQ016A以及INS1001DE芯片推出2KW 48V双向AC/DC储能电源计划，能够下降体系消耗。图示2-年夜联年夜诠鼎基于英诺赛科产物的2KW 48V双向AC/DC储能电源计划的场景利用图储能体系采取氮化镓，一方面能够晋升效力，下降消耗，实现无风散热，节俭电扇，从而晋升体系牢靠性跟寿命；另一方面还能晋升开关频率，减小理性跟容性等无源器件尺寸来构建更小、更轻的产物。本计划采取All GaN器件，包含前端AC/DC无桥图腾柱PFC跟后端DC/DC断绝全桥LLC转换器，支撑单双pg电子娱乐试玩向任务形式。在无桥PFC局部，本计划采取4颗英诺赛科旗下INN650TA030C芯片、LLC原边高压侧搭载4颗INN650TA050C、副边高压侧装备8颗INN100EQ016A、高压管驱动器搭配自研的INS1001DE，与传统IGBT/Si计划比拟，本计划能够供给更快的开关速率、更小的开关消耗，从而坚持更小的体系体积跟更高的效力。图示3-年夜联年夜诠鼎基于英诺赛科产物的2KW 48V双向AC/DC储能电源计划的方块图此次推出的All GaN器件2KW 48V双向AC/DC储能电源计划，不只是年夜联年夜对以后市场需要的精准回应，更是公司对绿色、高效、智能动力系统的前瞻规划。将来，年夜联上将秉持开放配合的理念，联袂更多气味相投的搭档，独特减速新动力工业的改革步调，为实现寰球碳中跟的雄伟目的注入微弱动能。中心技巧上风：●   整流跟逆变峰值效力96.1%，相较IGBT/Si计划，体系消耗增加40%；●   PFC任务频率65KHz、LLC谐振频率200KHz、相较IGBT/Si计划，体系功率密度晋升1倍。计划规格：●   整流：输入电压范畴为180Vac~264Vac，输出48V/41.6A，满载最年夜功率2000W，峰值效力高达96.1%@50%负载；●   逆变：输入电压范畴为45Vdc~55Vd皇冠手机娱乐游戏平台c，输出220Vac/9.1A，最年夜稳态任务功率2000W，峰值效力高达96%@50%负载；●   PCBA尺寸：248mm×120mm×45mm；●   开关频率：□  PFC：65KHz；□  LLC：200KHZ；●   高功率密度：2欧洲杯买球软件app下载.447W/inch³；●   维护功效完全：输入过压维护/欠压维护/输入过流维护/输出短路及过流过压维护/过温维护。